科学家研究嵌入半导体铁磁纳米粒子系统,助力太赫兹磁化调制-亚博APP安全有保障

本文摘要:未来,超高速磁矩电子学将必须皮秒(1万亿分之一秒)内的超快相干性磁化反败为胜。

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未来,超高速磁矩电子学将必须皮秒(1万亿分之一秒)内的超快相干性磁化反败为胜。磁矩电子学主要研究固态器件中电子的磁矩和磁矩。虽然这最后有可能通过用于单环太赫兹脉冲的电离辐射构建,但它产生的磁化强度或调制的微小变化,迄今为止妨碍了这项技术的任何实际应用于。

一般指出,太赫兹脉冲的“磁场”组分是磁化相干性太赫兹号召的起源。不过,正如日本东京大学研究人员此前找到的,太赫兹脉冲的“电场”组分在半导体铁磁材料的太赫兹磁化调制中起着关键作用。如今,该团队在美国物理学联合会(AIP)的《应用于物理快报》报告称之为,他们最初的找到为其研究映射半导体的铁磁性纳米颗粒获取了启发。

他们的理论是,太赫兹脉冲在半导体中传播时能量损耗较小,因此太赫兹脉冲的电场可有效地应用于每个纳米粒子。为检验这一理论,研究团队用于了一种100纳米薄的半导体砷化镓薄膜,薄膜中映射了磁性砷化锰(MnAs)纳米颗粒。“太赫兹脉冲在我们的薄膜中传播时能量损耗较小,从而使其以求击穿薄膜。

这意味著强劲太赫兹电场——仅次于强度为200千伏/厘米——被均匀分布地应用于所有的铁磁性纳米粒子。”东京大学副教授OhyaShinobu讲解说道,“由于磁矩—轨道相互作用,这种强劲电场通过调制MnAs纳米颗粒中的载流子密度诱导大磁化调制。”研究人员顺利取得了饱和状态磁化强度约20%的大调制,并且明确提出,太赫兹脉冲的电场组分在大调制中起着关键作用。

“我们的研究结果将带给皮秒内的超快相干性磁化反败为胜,而这将是超高速磁矩电子学的一项最重要技术。”Ohya说道。

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